与传统硅功率器件制作工艺不同，西岗区高碳硅球，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上。必须在导通型单晶衬底上额外生长高的外延材料，并在外延层上制造各类器件。目前，主要的外延技术是化学气相沉积（cvd），通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压等级的不断提高，高碳硅球---，碳化硅外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。
关于碳化硅的几个事件
1905年 次在陨石中发现碳化硅。
1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。
1955年 理论和技术上重大突破，lely提出生长碳化概念，从此将碳化硅作为重要的电子材料。
1958年 在波士顿召开次碳化硅会议进行学术交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由---进行研究。到1978年采用“lely改进技术”的晶粒提纯生长方法。
1987年～至今以cree的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
碳化硅用途：1、有色金属冶炼工业的应用利用碳化硅具有耐高温，高碳硅球采购，强度大，导热性能---，高碳硅球厂家电话，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚灌蒸馏炉。公司凭借着多年在碳化硅制品领域的研究，在加上的---实力，---的的生产工艺，现代化的机器，的团队，完善的管理体系，产品执行制造。是你选择合作的好伙伴！欢迎到厂联系，全部过关，有---，只要你有需要，一个电话就能解决。
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